型号:DMN100-7 | 类别:FET - 单 | 制造商:Diodes Inc |
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.1A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 240 毫欧 @ 1A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 5.5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 150pF @ 10V |
功率_最大 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SC-59-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市昭兴微电子有限公司 | 林裕忠0755-23991909 |
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深圳市品优时代科技有限公司 | 唐0755-23612326 |
深圳市悦兴晨电子科技有限公司 | 朱先生0755-82812004/82811605 |
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