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电子元器件详细资料 » IC[15973] » DMN100-7
型号:DMN100-7类别:FET - 单制造商:Diodes Inc
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
系列-
制造商Diodes Inc
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C1.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C240 毫欧 @ 1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs5.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds150pF @ 10V
功率_最大500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SC-59-3
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市海虹微电子有限公司赵小姐086-0755-83291010 83678410
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
深圳市昭兴微电子有限公司林裕忠0755-23991909
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DMN100-7相关型号

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